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晶体闸流管又称晶闸管,又称晶闸管模块,于1957年由美国通用电气公司研制并于1958年实现商业化;晶闸管模块是PNPN四层半导体结构,由阳、阴、门三极构成;晶闸管模块具有硅片的特点,能在高电压、大电流条件下工作,其工作过程可控制,广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变、变频等电子电路中。
可控硅导通条件为:正电压下,门极触发电流;导通器件有:快速可控硅、双向可控硅、反向可控硅、光控可控硅等。这也是一类大功率电源的开关半导体器件,在电路当中用字母符号“V”表示,用VT表示(旧标准中用“SCR”表示)。
可控可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变和变频等电子电路中,晶闸管模块(Thyristor)是一种在高电压、大电流条件下工作的开关元件,它的工作过程可控制,广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变和变频等电子电路中。一九五七年,美国通用电器公司开发了世界较早的晶闸管模块产品,一九五八年,它实现了商品化。
可控硅在工作时,其阳极(A)、阴极(K)与电源和负荷相连接,并由可控硅的主电路、可控硅的门极G、阴极K与控制可控硅的装置相连接,构成可控硅的控制电路。
可控硅是一种半控制电力电子器件,其工作条件如下:
1.当承载反方向阳极电压时,不论门极电压怎样,晶闸管模块都处在反方向阻断情况。
2.当承载正方向阳极电压时,唯有当门极承载正方向电压时,晶闸管模块才可以导通。此刻晶闸管模块处在正导通情况,即晶闸管模块的闸流特点,即可控特点。
3.晶闸管模块在通电情况下,只要有某种正向阳极电压,晶闸管模块就会保持通电,也就是说,晶闸管模块通电之后,门极就失去作用。门极仅用于触发。
4.晶闸管模块导通时,当主回路电压(或电流)降至接近零时,晶闸管模块就会关闭。
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