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可控硅模块装置中采用的过电流保护措施

来源:www.zhenggao.cc 日期:2020年03月14日  点击数:载入中...
       可控硅模块装置中产生过电流保护的原因有很多,是多种多样的,那么它采用的保护措施有哪些?下面可控硅模块厂家带您一起来看下。
       可控硅模块产生出的过电流的原因有很多种,当变流装置内部的结构元件损坏、控制或者触发系统之间发生的一些故障、可逆传动环流过大或逆变失败、交流电压过高或过低或缺相、负载过载等原因,都会引起装置中电力电子元器件耳朵电流超过正常的工作电流。

       由于可控硅模块的过流比一般的电气设备的能力要低得多,因此,我们必须采取防过电流保护可控硅模块的措施。


可控硅模块装置中采用的过电流保护措施


       接下来可控硅生产厂家正高为大家详细讲解一些可控硅模块装置中可能采用的4种过电流保护管理措施:
       1、交流进线串接漏电阻大的整流变压器,利用短路电流受电抗限制,但交流电流大时会存在交流压降。
       2、电检测和过电流检测继电器电流与设定值进行比较,当取样电流超过设定值时,比较器输出信号使所述相移角增加以减小电流或拉逆变器相比较。有时一定要停止。
       3、直流快速开关对于变流装置功率大且短路可能性较多的场合,可采用动作时间只有2ms的直流快速开关,它可以先于快速熔断器断开,从而保护了可控硅模块,但价格昂贵所以使用不多。
       4、将快速熔断器与普通熔断器进行对比,快速熔断器是专门可以用来作为保护电力半导体功率控制器件过电流的元件,它具有快速熔断的特性,在流过6倍额定工作电流时其熔断时间成本小于工频的一个周期(20ms)。 快速熔断器可与交流侧,直流侧或与可控硅桥臂串联,后者直接效果更好。通常来说快速熔断器的额定电流(有效值IRD)应小于保护可控硅模块额定方均通态电流(即有效值)Itrms即1.57ITAV,同时要大于流过可控硅的实际通态方均根电流(即有效值)IRMS。
       以上就是可控硅模块装置中有可能可以采用呢的四种过电流保护管理措施。希望通过这篇文章对您有所帮助。
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