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过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏?

来源:www.zhenggao.cc 日期:2019年10月18日  点击数:载入中...
过电压会对可控硅模块造成损坏,如果要想保护可控硅不受其损坏,就要了解过电压的产生原因,从而去避免防止受损,下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏?以及过电压产生的原因。

可控硅模块对过电压非常敏感,当正向电压超过udrm值时,可控硅会误导并导致电路故障;当施加的反向电压超过urrm值时,可控硅模块会立即损坏。因此,需要研究过电压产生的原因和抑制过电压的方法。


过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏?


过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化,使系统转换太晚,或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现,由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型,如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰,对可控硅模块非常危险。开关的开启和关闭引起的脉冲电压分为以下两类:


(1)交流电源接通、断开产生的过电压
如交流开关分合、交流侧熔断器熔断等引起的过电压,由于变压器绕组的分布电容、漏抗引起的谐振回路、电容分压等原因,这些过电压值是正常值的2~10倍以上。一般来说,开闭速度越快,过电压越高,则在无负载下断开晶闸管模块时过电压就越高。
(2)直流侧产生的过电压
例如,如果切断电路的电感较大,或者切断时电流值较大,就会产生较大的过电压。当负载被移除,可控硅模块的开路被打开,或者快速熔断器的熔体燃烧是由电流的突然变化引起时,就会发生这种情况。
以上就是可控硅模块受过电压的损坏,希望通过这篇文章可以对您有所帮助。
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